POTENCIAL DE MORSE COMO PERFIL DE POZOS CUÁNTICOS SEMICONDUCTORES

Valentina Martínez Rendón, Carolina Castaño Uribe, Andrea Giraldo Martínez, Juan Pablo González Pereira, Ricardo León Restrepo Arango, Álvaro Luis Morales Aramburo, Carlos Alberto Duque Echeverri

Resumen


Se presentan los cálculos teóricos de la energía y la función de onda del estado base y primer estado excitado de un electrón confinado en un pozo cuántico de GaAsAl/GaAs con perfil de potencial tipo Morse usando la aproximación de masa efectiva y el método de función de onda envolvente. Se analizan las transiciones inter-sub-banda de acuerdo a los parámetros que definen la geometría del potencial de Morse para representar la inter-difusión entre los materiales de la barrera y del pozo. Adicionalmente, se presentan los picos de la rectificación óptica no lineal en función de la energía de los fotones incidentes y su resonancia con la energía de transición entre los dos estados. Se aplica un campo eléctrico en la dirección de crecimiento del pozo cuántico y un campo magnético perpendicular a la heteroestructura con el fin estudiar los corrimientos de los picos de la respuesta óptica en el espectro de los fotones incidentes.

Palabras clave


pozo cuántico; potencial de Morse; campo eléctrico; campo magnético; rectificación óptica no lineal.

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DOI: https://doi.org/10.24050/reia.v12i2.966

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