DEPÓSITO Y CARACTERIZACIÓN DE PELÍCULAS DOPADAS DE A-SI:H (TIPO N O TIPO P)

DEPÓSITO Y CARACTERIZACIÓN DE PELÍCULAS DOPADAS DE A-SI:H (TIPO N O TIPO P)

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Ana Carolina Sarmiento Chávez
Mario Moreno Moreno
Alfonso Torres Jacacome
Abel García Barrientos
Jairo Plaza Casastillo

Resumen

El silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) surge como un material prometedor en la industria fotovoltaica gracias a su alto coeficiente de absorción y a su bajo costo de producción. En este trabajo se estudiaron las propiedades ópticas y eléctricas de películas de a-Si:H dopadas tipo p y tipo n tales como: transmitancia, coeficiente de absorción, conductividad, energía de activación y espesor. Dichas películas se fabricaron mediante la técnica Depósito Químico en fase Vapor Asistido por Plasma (PECVD, por su sigla en inglés) a baja frecuencia con una temperatura de sustrato de 300 °C, variando el flujo de hidrógeno y de los gases dopantes. La caracterización de las películas se hizo mediante las técnicas de caracterización eléctrica, transmisión óptica y elipsometría UV – Visible. Los resultados muestran que el silicio amorfo hidrogenado es una buena alternativa para la fabricación de dispositivos fotovoltaicos.

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Detalles del artículo

Biografía del autor/a (VER)

Ana Carolina Sarmiento Chávez

Maestría. Egresada Universidad del Atlántico, Barranquilla, Colombia

Mario Moreno Moreno

Doctorado. Investigador de INAOE, Tonantzintla, México

Alfonso Torres Jacacome

Doctorado. Investigador de INAOE, Tonantzintla, México

Abel García Barrientos

Doctorado. Investigador. U. P. de Tulancingo, Tulancingo, México

Jairo Plaza Casastillo

Doctorado. Investigador. Universidad del Atlántico. Barranquilla, Colombia