Propiedades electrónicas de un anillo cuántico elíptico con sección transversal rectangular

Propiedades electrónicas de un anillo cuántico elíptico con sección transversal rectangular

Contenido principal del artículo

Juan Alejandro Vinasco Suarez
Adrian Radu
Carlos Alberto Duque Echeverri

Resumen

Los estados electrónicos de un anillo cuántico elíptico de GaAs embebido en una matriz de AlxGa1-xAs son investigados mediante la aproximación de masa efectiva. El anillo cuántico es construido con una sección transversal rectangular (dirección radial). La ecuación de Schrödinger es resuelta mediante el método de elementos finitos. En dirección angular se modula la amplitud de la altura, lo que permite la generación de puntos cuánticos a lo largo del anillo. Se reportan las energías del electrón como función de las dimensiones del anillo, tanto las longitudes de las elipses en el plano xy como su altura (eje z).

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Detalles del artículo

Biografía del autor/a (VER)

Juan Alejandro Vinasco Suarez, Universidad de Antioquia

Estudiante doctorado en física

Adrian Radu, Universidad Politécnica de Bucarest

Profesor Facultad Ciencias, Universidad Politécnica de Bucarest

Carlos Alberto Duque Echeverri, Universidad de Antioquia

Profesor Instituto de Física - Universidad de Antioquia

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